|
|
|
|
|
|
|
|
home > ÀÚ·á½Ç |
|
|
|
|
|
|
|
¹ÝµµÃ¼ ¿ë¾îÁý 3 (N~Z) |
|
|
|
À̸§ |
|
|
°ü¸®ÀÚ |
|
ÆÄÀÏ |
|
|
|
|
³»¿ë |
|
|
N+ NÇü ¹ÝµµÃ¼¿¡ ÀÖ¾î¼ Æ¯È÷ µµ¿ì³Ê ºÒ¼ø¹°ÀÇ ³óµµ°¡ ³ôÀº ºÎºÐÀÌ ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ³ªÅ¸³¾ ¶§ N+¸¦ »ç¿ëÇÑ´Ù.
N- NÇü ¹ÝµµÃ¼ ¿µ¿ª¿¡ ÀÖ¾î¼ ºÒ¼ø¹° ³óµµ°¡ ƯÈ÷ ³·Àº ºÎºÐÀ» ³ªÅ¸³¾ ¶§ ¾²ÀδÙ.
Nail Heading ´ÙÃþ±âÆÇÀÇ ³»Ãþȸ·Î¿¡ ÀÖ¾î¼ È¦µå¸±¿¡ ÀÇÇÏ¿© ȸ·Î°¡ ÆÛÁø »óÅÂ.
NAND ³í¸®È¸·ÎÁß ³í¸® ºÎÁ¤ ȸ·Î¿Í AND ³í¸®Àû ȸ·Î¸¦ Çϳª·Î ¸¸µç °Í.
Nano ´ÜÀ§(10ÀÇ -9½Â).
Nano Line ºûÀÇ °£¼·È¿°ú¸¦ ÀÌ¿ëÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î ÀԻ籤ÀÇ ÆÄÀ庯ȿ¡ µû¸¥ ¹Ý»ç±¤ÀÇ Intensity¸¦ ÃøÁ¤Çؼ ¹Ú¸·ÀÇ µÎ²² ¹× ¹Ý»çµµ¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â Àåºñ. WaferÀÇ CD °ªÀ» ÃøÁ¤ÇÏ´Â ±â±¸·Î½á, »çÁøÀ̳ª ½Ä°¢ °øÁ¤¿¡¼ »ç¿ë
Nano Spec WaferÀ§¿¡ ÀÔÇôÁø ¹°ÁúÀÇ µÎ²²¸¦ ÃøÁ¤ÇÏ´Â Àåºñ·Î¼, È®»ê, ¹Ú¸·, »çÁø, ½Ä°¢°øÁ¤¿¡¼ »ç¿ë.
Narrow Width Effect MOSFETÀÇ TR width°¡ ÀÛ¾ÆÁö¸é¼ Threshold voltage°¡ Áõ°¡ÇÏ´Â Çö»óÀ» ¸»Çϸç, ÀÌ´Â Gate induced space chargeÀÇ ÀϺΰ¡ fringing field¿¡ ÀÇÇØ ÀÛ¾ÆÁö¹Ç·Î °°Àº ¾çÀÇ depletion charge¸¦ ¾ò±â À§Çؼ´Â voltage°¡ Áõ°¡ÇØ¾ß ÇÏ´Â °Í°ú channel stop dopant ¹× birds beak¿¡ ÀÇÇØ activeedgeÂÊ gate ¾Æ·¡ substrate°¡ »ó´ëÀûÀ¸·Î high density, thick gate oxide ¾ç»óÀ» º¸ÀÌ´Â °ÍÀ¸·Î ¼³¸íµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.
National Reference Standard ¿ø±â¿¡ ÀÇÇÏ¿© ±³Á¤µÇ´Â Ç¥Áرâ±â·Î 2Â÷±ÞÀÇ Ç¥Áرâ±â¸¦ ±³Á¤ÇÏ´Â µ¥ »ç¿ëµÇ´Â °Í.
National Standard °èÃø ºÐ¾ßº° 7°³ ±âº» ´ÜÀ§¡¤À¯µµ´ÜÀ§ ¹× ±âŸ Ư¼ö´ÜÀ§¿¡ ´ëÇÏ¿© ÃÖ°í Á¤µµ¸¦ °®´Â ±¹°¡ÀÇ Çö½Ã¿ë ¹× À¯Áö¿ë Ç¥Áرâ±â.
Navigation TFT-LCD LCDÀÇ ÀÏÁ¾À¸·Î Ç×¹ý ÀåÄ¡¿¡ »ç¿ëµÇ´Â µð½ºÇ÷¹ÀÌ·Î °æ·®, ¹ÚÇüÀ̸ç ÀÎ¸í¿¡ °ü°èµÈ °ÍÀ̱⠶§¹®¿¡ °í½Å·Ú¼ºÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù.
N- Channel PÇü ±âÆÇ¿¡ È®»ê ¿µ¿ªÀ» Çü¼ºÇÑ Àý¿¬°ÔÀÌÆ®Çü FET¿¡ ÀÖ¾î¼ ¼Ò¿À½º, µå·¹Àΰ£À» È帣´Â Àü·ùÀÇ Åë·ÎÀΠä³ÎÀÌ ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇؼ Çü¼ºµÇ´Â °ÍÀ» N-ChannelÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.
NC(No Connecton) ¾Æ¹«°Íµµ Á¢¼ÓÇÏÁö ¾Ê´Â´Ù´Â °ÍÀ» ³ªÅ¸³¿.
Neat Phase ÀϹÝÀûÀ¸·Î ¹°À» ±×´ÙÁö ÇÔÀ¯ÇÏÁö ¾ÊÀº Ç¥¸é È°¼ºÁ¦, ºñ´©, º¹ÇÕÁöÁú µîÀÇ °è°¡ µÎ °³ÀÇ ºÐÀÚÃþ»çÀÌ¿¡ ±ÕµîÇÏ°Ô ¹°À» ÇÔÀ¯ÇÑ Lamella ±¸Á¶ÀÇ »óŸ¦ ¸»ÇÔ.
Necking Interconnect lineÀÌ °¡´Ã¾îÁö´Â Çö»ó.
Negative LCD Normally black¶ó°íµµ ÇÏ¸ç °ËÀº¹ÙÅÁ¿¡ Èò¹®ÀÚ°¡ ³ªÅ¸³´Ù.
Negative Resistance Àü¾ÐÀ» Áõ°¡½ÃŲ °æ¿ì Àü·ù°¡ °¨¼ÒÇϴ Ư¼ºÀÌ ÀÖÀ» ¶§ Negative Resistance¶ó°í ÇÑ´Ù. Áö±Ý±îÁö ¾Ë·ÁÁø ºÎ¼ºÀúÇ×Àº ¾î¶² ÇÑÁ¤µÈ Àü¾Ð ¹üÀ§¿¡¼ ¹ß»ýÇϸç Àü¾ÐÀ» °è¼Ó Áõ°¡½ÃŲ´Ù°í Çؼ Àü·ù°¡ °è¼Ó °¨¼ÒÇÏ´Â °ÍÀº ¾Æ´Ï´Ù.
NEMA(National Electrical Manufacturer Association) ¹Ì±¹ Àü±â Á¦Á¶ÀÚ Çùȸ. EIA(ÀüÀÚ°ø¾÷ȸ)¿Í ÇÕµ¿À¸·Î JEDEC ¼³¸³.
Mematic LC ºÐÀÚÀÇ ÀåÃàÀ» ´ë°³ ÀÏÁ¤¹æÇâÀ¸·Î ¹èÇâÇÏ°í ºÐÀÚÀÇ Áß½ÉÀÌ ·£´ýÇÏ°Ô ºÐÆ÷µÇ¾î ÀÖ´Â ¿ªµ¿¼º(æ¶ÔÑàõ)À» °¡Áø ¾×Á¤.
NET(Normes Europeennes de Telecommunications) À¯·´ Àü±âÅë½Å±Ô°Ý.
Net Die Wafer Ò®¿¡¼ ½ÇÁ¦·Î ¸¸µé¾îÁö´Â Total Die ¼ö.
Netlist ȸ·Î ¼³°è°¡ ³¡³ÈÄ Simulation ȤÀº layoutÀ» Çϱâ À§ÇØ ±×·ÁÁø ȸ·Îµµ¿¡¼ »ç¿ëµÈ ¼ÒÀÚ Á¾·ù, Å©±â, ¼ÒÀÚ¿Í ¼ÒÀÚÀÇ ¿¬°á»óÅÂ, ±×¸®°í Signal nameÀÌ ÃßÃâµÇ¾î ¼ö·ÏµÈ file.
Nibble 4Bit·Î ÀÌ·ç¾îÁø ´Ü¾î.
Nibble Mode ÄÄÇ»ÅÍ ½Ã½ºÅÛÀÌ µ¥ÀÌÅ͸¦ AccessÇÏ´Â Áß Past fage modeÀÇ º¯ÇüÇüÅ·μ ½ºÇÇµå °³¼±À» ¸ñÀûÀ¸·Î ¸¸µé¾îÁü. ½Ã½ºÅÛÀÌ 1°³ÀÇ µ¥ÀÌÅÍ Access signalÀ» ¹ß»ý½Ã 4°³ÀÇ µ¥ÀÌÅÍ°¡ ¿¬¼ÓÀûÀ¸·Î Ãâ·ÂµÇ´Â »óŸ¦ ¸»ÇÔ.
N-Butyl Acetate Rinse ¿ë¾×À¸·Î Çö»ó(Develop) ÈÄ ³ìÀº °¨±¤¾×À» ¾ø¾Ö´Âµ¥ »ç¿ë.
N-CH Field Implant Field RegionÀÇ VT¸¦ Áõ°¡½ÃÄÑ Cell°ú Cell°£ÀÇ Àý¿¬¼ºÀ» ³ôÀ̱â À§ÇÏ¿© Field Oxide°¡ ¼ºÀåÇÒ ºÎÀ§¿Í °°Àº Á¾·ùÀÇ IONÀ» ÁÖÀÔÇÑ´Ù.
NICS(Newly Industrializing Conntries) ½ÅÈï°ø¾÷±¹ ¶Ç´Â ÁßÁø±¹. 1970³â´ë¸¦ ÅëÇØ °³¹ßµµ»ó±¹ °¡¿îµ¥ ±Ý¼ÓÇÑ °ø¾÷ȸ¦ ÀÌ·èÇÏ¿© GNP¿¡¼ Â÷ÁöÇÏ´Â °ø¾÷Á¡À¯À²ÀÌ 25¡45%·Î °ÅÀÇ ¼±Áø°ø¾÷±¹¿¡ °¡±î¿î ºñÀ²¿¡¿Ã¶ó¼± ³ª¶ó¸¦ ÅëĪÇÏ´Â ¸»ÀÌ´Ù.
NF(Noise Figure) ÀâÀ½Áö¼ö.
Nitride À¯Àü»ó¼ö ¹× ¹Ðµµ°¡ ³ôÀº Amorphous »óÅÂÀÇ Àý¿¬¸·À¸·Î ½Ç¸®ÄÜÀÇ PN Á¢ÇÕ Ç¥¸éÀ» ¾ÈÁ¤ÈÇÏ´Â ¹æ¹ýÀÇ Çϳª. ¹ÝµµÃ¼ ¿ë¾î·Î´Â ÁÖ·Î ÁúÈ ½Ç¸®ÄÜ(Si3 N4)À» °¡¸®Å²´Ù.
Nm3 0¡É, 760mmHg ¶§ÀÇ °¡·Î 1m, ¼¼·Î 1m, ³ôÀÌ 1m Å©±âÀÇ ±âüÀÇ ºÎÇÇ.
NMI(Non-Maskable Interrupt) NMI´Â ¸Þ¸ð¸®¿¡ ¹®Á¦°¡ ¹ß»ýÇÒ °æ¿ì CPU¿¡¼ 󸮸¦ ¿ä±¸ÇÏ´Â ½ÅÈ£À̸ç Interrupt MaskÀÇ ¿µÇâÀ» ¹ÞÁö ¾Ê´Â °¡Àå ³ôÀº ¿ì¼± ¼øÀ§ÀÖ´Â InterruptÀ̸ç Parity Error ¹ß»ý½Ã NMI°¡ ¹ß»ýµÈ´Ù.
No Calibration Required ±³Á¤°Ë»ç°¡ ¿ä±¸µÇÁö |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|