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¹ÝµµÃ¼ ¿ë¾îÁý 3 (N~Z)  

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°ü¸®ÀÚ

ÆÄÀÏ

³»¿ë N+
NÇü ¹ÝµµÃ¼¿¡ À־ Æ¯È÷ µµ¿ì³Ê ºÒ¼ø¹°ÀÇ ³óµµ°¡ ³ôÀº ºÎºÐÀÌ Àִٴ °ÍÀ»  ³ªÅ¸³¾ ¶§ N+¸¦ »ç¿ëÇÑ´Ù.

N-
NÇü ¹ÝµµÃ¼ ¿µ¿ª¿¡ À־ ºÒ¼ø¹° ³óµµ°¡ Æ¯È÷ ³·Àº ºÎºÐÀ» ³ªÅ¸³¾ ¶§ ¾²ÀδÙ.

Nail Heading
´ÙÃþ±âÆÇÀÇ ³»Ãþȸ·Î¿¡ À־ È¦µå¸±¿¡ ÀÇÇÏ¿© È¸·Î°¡ ÆÛÁø  »óÅÂ.

NAND
³í¸®È¸·ÎÁß ³í¸® ºÎÁ¤ È¸·Î¿Í AND ³í¸®Àû È¸·Î¸¦ Çϳª·Î ¸¸µç °Í.

Nano
´ÜÀ§(10ÀÇ -9½Â).

Nano Line
ºûÀÇ °£¼·È¿°ú¸¦ ÀÌ¿ëÇϴ °ÍÀ¸·Î ÀԻ籤ÀÇ ÆÄÀ庯ȭ¿¡ µû¸¥ ¹Ý»ç±¤ÀÇ Intensity¸¦ ÃøÁ¤Çؼ­ ¹Ú¸·ÀÇ µÎ²² ¹×  ¹Ý»çµµ¸¦ ÃøÁ¤Çϴ Àåºñ.  WaferÀÇ CD °ªÀ» ÃøÁ¤Çϴ ±â±¸·Î½á, »çÁøÀ̳ª ½Ä°¢ °øÁ¤¿¡¼­ »ç¿ë

Nano Spec
WaferÀ§¿¡ ÀÔÇôÁø ¹°ÁúÀÇ µÎ²²¸¦  ÃøÁ¤Çϴ Àåºñ·Î¼­, È®»ê, ¹Ú¸·, »çÁø, ½Ä°¢°øÁ¤¿¡¼­ »ç¿ë.

Narrow Width  Effect
MOSFETÀÇ TR   width°¡ ÀÛ¾ÆÁö¸é¼­  Threshold voltage°¡ Áõ°¡Çϴ Çö»óÀ»  ¸»Çϸç, À̴ Gate  induced space chargeÀÇ  ÀϺΰ¡  fringing field¿¡ ÀÇÇØ ÀÛ¾ÆÁö¹Ç·Î °°Àº ¾çÀÇ  depletion charge¸¦
¾ò±â À§Çؼ­´Â voltage°¡ Áõ°¡ÇؾߠÇϴ  °Í°ú channel stop dopant  ¹× birds beak¿¡  ÀÇÇØ  activeedgeÂÊ gate ¾Æ·¡ substrate°¡  »ó´ëÀûÀ¸·Î high density, thick gate oxide ¾ç»óÀ» º¸À̴ °ÍÀ¸·Î  ¼³¸íµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.

National Reference Standard
¿ø±â¿¡ ÀÇÇÏ¿©  ±³Á¤µÇ´Â Ç¥Áرâ±â·Î 2Â÷±ÞÀǠǥÁرâ±â¸¦ ±³Á¤Çϴ µ¥ »ç¿ëµÇ´Â °Í.

National Standard
°èÃø ºÐ¾ßº° 7°³ ±âº» ´ÜÀ§¡¤À¯µµ´ÜÀ§ ¹× ±âŸ Æ¯¼ö´ÜÀ§¿¡ ´ëÇÏ¿© ÃÖ°í Á¤µµ¸¦ °®´Â ±¹°¡ÀÇ Çö½Ã¿ë ¹× À¯Áö¿ë Ç¥Áرâ±â.

Navigation TFT-LCD
LCDÀÇ ÀÏÁ¾À¸·Î Ç×¹ý ÀåÄ¡¿¡ »ç¿ëµÇ´Â µð½ºÇ÷¹À̷Π°æ·®, ¹ÚÇüÀ̸砠ÀÎ¸í¿¡ °ü°èµÈ °ÍÀ̱⠶§¹®¿¡ °í½Å·Ú¼ºÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù.

N- Channel
PÇü ±âÆÇ¿¡ È®»ê ¿µ¿ªÀ» Çü¼ºÇÑ  Àý¿¬°ÔÀÌÆ®Çü FET¿¡ À־ ¼Ò¿À½º, µå·¹Àΰ£À» È帣´Â Àü·ùÀÇ Åë·ÎÀΠä³ÎÀÌ ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇؼ­ Çü¼ºµÇ´Â °ÍÀ» N-ChannelÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.

NC(No Connecton)
¾Æ¹«°Íµµ Á¢¼ÓÇÏÁö ¾Ê´Â´Ù´Â °ÍÀ» ³ªÅ¸³¿.

Neat Phase
ÀϹÝÀûÀ¸·Î ¹°À» ±×´ÙÁö ÇÔÀ¯ÇÏÁö ¾ÊÀº Ç¥¸é È°¼ºÁ¦, ºñ´©, º¹ÇÕÁöÁú µîÀÇ °è°¡ µÎ °³ÀÇ ºÐÀÚÃþ»çÀÌ¿¡ ±ÕµîÇÏ°Ô ¹°À»  ÇÔÀ¯ÇÑ Lamella ±¸Á¶ÀÇ  »óŸ¦ ¸»ÇÔ.

Necking
Interconnect lineÀÌ °¡´Ã¾îÁö´Â Çö»ó.

Negative LCD
Normally black¶ó°íµµ Çϸ砰ËÀº¹ÙÅÁ¿¡ Èò¹®ÀÚ°¡ ³ªÅ¸³­´Ù.

Negative Resistance
Àü¾ÐÀ» Áõ°¡½ÃŲ °æ¿ì Àü·ù°¡ °¨¼ÒÇϴ Ư¼ºÀÌ  ÀÖÀ» ¶§ Negative Resistance¶ó°í ÇÑ´Ù. Áö±Ý±îÁö  ¾Ë·ÁÁø ºÎ¼ºÀúÇ×Àº ¾î¶²  ÇÑÁ¤µÈ Àü¾Ð  ¹üÀ§¿¡¼­ ¹ß»ýÇϸç Àü¾ÐÀ» °è¼Ó Áõ°¡½ÃŲ´Ù°í Çؼ­ Àü·ù°¡ °è¼Ó °¨¼ÒÇϴ °ÍÀº ¾Æ´Ï´Ù.

NEMA(National Electrical Manufacturer Association)
¹Ì±¹ Àü±â Á¦Á¶ÀÚ Çùȸ. EIA(ÀüÀÚ°ø¾÷ȸ)¿Í ÇÕµ¿À¸·Î JEDEC ¼³¸³.

Mematic LC
ºÐÀÚÀÇ ÀåÃàÀ» ´ë°³  ÀÏÁ¤¹æÇâÀ¸·Î ¹èÇâÇÏ°í ºÐÀÚÀÇ Áß½ÉÀÌ ·£´ýÇÏ°Ô ºÐÆ÷µÇ¾î Àִ ¿ªµ¿¼º(æ¶ÔÑàõ)À» °¡Áø ¾×Á¤.

NET(Normes Europeennes de Telecommunications)
À¯·´ Àü±âÅë½Å±Ô°Ý.

Net Die
Wafer Ò®¿¡¼­ ½ÇÁ¦·Î ¸¸µé¾îÁö´Â Total Die ¼ö.

Netlist
ȸ·Î ¼³°è°¡ ³¡³­ÈÄ Simulation È¤Àº layoutÀ»  Çϱâ À§ÇØ ±×·ÁÁø È¸·Îµµ¿¡¼­ »ç¿ëµÈ ¼ÒÀÚ Á¾·ù, Å©±â, ¼ÒÀÚ¿Í ¼ÒÀÚÀÇ ¿¬°á»óÅÂ, ±×¸®°í  Signal  nameÀÌ ÃßÃâµÇ¾î ¼ö·ÏµÈ file.

Nibble
4Bit·Î ÀÌ·ç¾îÁø ´Ü¾î.

Nibble Mode
ÄÄÇ»ÅÍ ½Ã½ºÅÛÀÌ µ¥ÀÌÅ͸¦ AccessÇϴ Áß Past fage modeÀÇ º¯ÇüÇüÅ·μ­  ½ºÇǵ堰³¼±À»  ¸ñÀûÀ¸·Î ¸¸µé¾îÁü.  ½Ã½ºÅÛÀÌ 1°³ÀÇ µ¥ÀÌÅÍ  Access  signalÀ» ¹ß»ý½Ã 4°³ÀÇ µ¥ÀÌÅÍ°¡ ¿¬¼ÓÀûÀ¸·Î Ãâ·ÂµÇ´Â »óŸ¦ ¸»ÇÔ.

N-Butyl Acetate
Rinse ¿ë¾×À¸·Î Çö»ó(Develop) ÈÄ ³ìÀº  °¨±¤¾×À» ¾ø¾Ö´Âµ¥ »ç¿ë.

N-CH Field Implant
Field RegionÀÇ VT¸¦ Áõ°¡½ÃÄÑ Cell°ú Cell°£ÀÇ Àý¿¬¼ºÀ» ³ôÀ̱â À§ÇÏ¿©   Field Oxide°¡ ¼ºÀåÇÒ ºÎÀ§¿Í °°Àº Á¾·ùÀÇ IONÀ» ÁÖÀÔÇÑ´Ù.

NICS(Newly Industrializing Conntries)
½ÅÈï°ø¾÷±¹ ¶Ç´Â ÁßÁø±¹. 1970³â´ë¸¦ ÅëÇØ °³¹ßµµ»ó±¹ °¡¿îµ¥ ±Ý¼ÓÇÑ  °ø¾÷È­¸¦ ÀÌ·èÇÏ¿© GNP¿¡¼­ Â÷ÁöÇϴ °ø¾÷Á¡À¯À²ÀÌ 25¡­45%·Î °ÅÀÇ  ¼±Áø°ø¾÷±¹¿¡ °¡±î¿î  ºñÀ²¿¡¿Ã¶ó¼± ³ª¶ó¸¦ ÅëĪÇϴ ¸»ÀÌ´Ù.

NF(Noise Figure)
ÀâÀ½Áö¼ö.

Nitride
À¯Àü»ó¼ö ¹× ¹Ðµµ°¡ ³ôÀº Amorphous »óÅÂÀÇ Àý¿¬¸·À¸·Î ½Ç¸®ÄÜÀÇ PN Á¢Çՠǥ¸éÀ» ¾ÈÁ¤È­Çϴ ¹æ¹ýÀÇ Çϳª. ¹ÝµµÃ¼ ¿ë¾î·Î´Â ÁַΠÁúÈ­ ½Ç¸®ÄÜ(Si3 N4)À» °¡¸®Å²´Ù.

Nm3
0¡É, 760mmHg ¶§ÀÇ °¡·Î 1m, ¼¼·Î 1m, ³ôÀÌ  1m Å©±âÀÇ ±âüÀÇ ºÎÇÇ.

NMI(Non-Maskable Interrupt)
NMI´Â ¸Þ¸ð¸®¿¡ ¹®Á¦°¡  ¹ß»ýÇÒ °æ¿ì CPU¿¡¼­ Ã³¸®¸¦ ¿ä±¸Çϴ ½ÅÈ£À̸砠Interrupt  MaskÀÇ ¿µÇâÀ» ¹ÞÁö ¾Ê´Â °¡Àå  ³ôÀº ¿ì¼± ¼øÀ§Àִ  InterruptÀ̸ç Parity Error ¹ß»ý½Ã NMI°¡ ¹ß»ýµÈ´Ù.

No  Calibration Required
±³Á¤°Ë»ç°¡ ¿ä±¸µÇÁö