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트랜지스터에대해...  

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내용 트랜지스터에대한 조사를 하라는 레포트를 받았습니다

 

트랜지스터가 무엇인가와..

 

트랜지스터의종류.. 및 특성에대해서 알고싶습니다

 
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re: 트랜지스터에대해...
pig9803 (2007-09-12 22:55 작성)
신고
트랜지스터는 반도체 가운데에서도 가장 ㅁ많이 쓰여왔던 기본적인 반도체 부품으로 증폭 작용을 발견하여 사용되기 시작 하였습니다. 트랜지스터에는 상당히 많은 종류가 있으며 용도나 특성에 따라 아주 많은 종류가 만들어지고 있으나 흔히 사용되며 비교적 쉽게 입수할 수 있는 것으로서 기본적인 분류를 한다면 아래와 같습니다.

트랜지스터 : 접합형의 트랜지스터로「전류」를 증폭하는 작용이 있습니다 .

NPN 트랜지스터 
접합의 구성에 의한 종류로 플러스 전원으로 동작합니다. 
2SC××× :고주파 용(저주파용에도 사용할 수 있다) 
2SD××× :저주파 용
        
PNP 트랜지스터
접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작합니다. 
2SA××× :고주파 용(저주파용에도 사용할 수 있다) 
2SB××× :저주파 용

고주파용과 저주파용의 구별은 명확하지 않으며 제조업체(등록업체)의 지정에 의해 정해집니다. 예를들면 200MHz 정도의 저주파용도 있는가 하면 30MHz 이하의 고주파용도 있습니다.
  
전계효과 트랜지스터(FET) 
진공관과 비슷한 원리로 입력 전압으로 출력 전류를 제어하는 특성을 갖고 있습니다.

접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 FET 로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작합니다. 

MOS 형 FET: 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 FET로 상당히 높은 입력 임피던스(전류가 흐르지 않는)를 갖고 있는 것이 특징입니다.
  
 
 회로도 기호
  앞에서 분류한 각 트랜지스터 회로의 기호는 다음과 같습니다.

회 로 기 호 
 약  호 
 명  칭 
 기  능  
 
 
 TR 
 NPN 트랜지스터 증폭,스위칭 용 
 
 TR 
 PNP 트랜지스터  〃 
 
 FET 
 전계 효과 트랜지스터 고 입력 임피던스
증폭,스위칭 용 
 
 FET 
 전계 효과 트랜지스터   〃 
 
 MOS FET 
  전계 효과 트랜지스터   〃 
 
 MOS FET 
  전계 효과 트랜지스터   〃 

 
 
 소신호용 
 트랜지스터
  
 비교적 작은전류 (300mA 이하)를 취급할 때 사용하는 트랜지스터입니다. 
형태에 따른 이름이 있으며 왼쪽에서 부터 
SST  TO-92  TO-18 로 부르며 이것은 외형의 이름입니다.  


단자는 바닥에서본 밑그림을 기준으로 합니다.
 

 
 
 대전류용 
 트랜지스터
  
 대전류용 으로 사용되는 트랜지스터입니다.좀더 큰 전류용도 있으나 여기서는 생략했습니다. 
외형의 이름은  왼쪽에서부터  TO-92  TO-220  TO-3  입니다.

단자는 바닥에서본 밑그림을 기준으로 합니다.
 

 

  
   

대형의 트랜지스터는 대부분 방열판을 이용하며 방열판에 취부시는 방열판과 트랜지스터 사이에 열전도성이 좋은 시트를 삽입하며 나사에는 절연부시를 삽입하여 트랜지스터와 방열판을 완전히 절연하는 것이 필요합니다.(때로는 절연하지 않는 것이 더 좋을 때도 있음)

 

 
 
규격표 보는법
 트랜지스터의 규격표는 아래표와 같이 되어 있습니다.

  최대정격 (Ta=25℃)

항   목
 기  호
 정   격
 단  위
 
 콜렉터 베이스간 전압
  VCBO
 60
 V
 
 콜렉터 에미터간 전압
  VCEO
  50
  V
 
 에미터 베이스간 전압
  VEBO
  5
  V
 
 콜렉터 전류
  IC
  150
  mA
 
 베이스 전류
 IB
 50
 mA
 
 콜렉터 손실
  PC
  400
 mW
 
 접합부 온도
  Tj
  125
 ℃ 
 
 보관온도
  Tstg
  -55 ~ 125
 ℃ 
 

  최대정격 (Ta=25℃) 

 항목
  기호
  측정조건
  최소
  표준
  최대
 단위
 
 콜렉터 차단 전류
  ICBO
  VCB = 60V, IE = 0
  -
 -
 0.1
 μA
 
 에미터 차단 전류
  IEBO
  VEB = 5V , IC = 0
  -
 -
 0.1
 μA 
 
 직류 전류 증폭률
또는 펄스 증폭률
  hfe(1)(注)
  VCE = 6V , IC = 2mA
  70
 -
 700
  
 
 hfe(2)
  VCE = 6V , IC = 150mA 
  25
  100
 -
 
 콜렉타 에미터간 포화